Austauschgateverfahren für Metallgatestapel mit großem &egr; auf der Grundlage eines nicht-konformen Zwischenschichtdielektrikums

摘要

Verfahren mit: Bilden einer Siliziumdioxid-Ätzstoppschicht und einer dielektrischen Schicht über einer Gateelektrodenstruktur eines Transistors, wobei die Gateelektrodenstruktur ein Platzhaltermaterial und eine über dem Platzhaltermaterial ausgebildete dielektrische Deckschicht aufweist, wobei die dielektrische Deckschicht und die dielektrische Schicht ein gemeinsames dielektrisches Basismaterial in Form von Siliziumnitrid aufweisen, wobei die Siliziumdioxid-Ätzstoppschicht eine Dicke von 10 nm oder weniger aufweist; Einebnen der dielektrischen Schicht durch Entfernen der dielektrischen Deckschicht und eines Teils der dielektrischen Schicht derart, dass eine Oberfläche des Platzhaltermaterials freigelegt ist; Ersetzen des Platzhaltermaterials durch zumindest ein metallenthaltendes Elektrodenmaterial; und Bilden einer Kontaktöffnung in der dielektrischen Schicht und Verwenden der Siliziumdioxid-Ätzstoppschicht als Ätzstopp.