Vorrichtung mit hoher Gatedichte und Verfahren zu deren Herstellung

摘要

Eine Halbleitervorrichtung mit einer Isolationsstruktur ist offenbart. Die Halbleitervorrichtung umfasst mehrere Gatestrukturen, die auf einem Halbleitersubstrat angeordnet sind, mehrere Gateseitenwand-Abstandshalter aus einem dielektrischen Material, die auf entsprechenden Seitenwänden der mehreren Gatestrukturen ausgebildet sind, eine dielektrische Zwischenschicht (ILD), die auf dem Halbleitersubstrat und den Gatestrukturen angeordnet ist eine Isolationsstruktur, die im Halbleitersubstrat eingebettet ist und sich zur ILD erstreckt, und einen Seitenwandabstandshalter aus dem dielektrischen Material, der auf Seitenwänden von Erstreckungsbereichen der Isolationsstruktur angeordnet ist.