| 发明名称 | 具有抬升硅化物源漏接触的MOSFET及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底中的源漏区、衬底上的栅极堆叠结构和栅极侧墙、源漏区中的第一金属硅化物、分别位于源漏区以及栅极堆叠结构上方的接触栓塞、以及层间介质层，其特征在于：第一金属硅化物以及栅极堆叠结构上具有第二金属硅化物，接触栓塞与第二金属硅化物接触。依照本发明的半导体器件，通过抬升第一金属硅化物使其高于源漏区表面，从而减少接触孔中W的用量，不仅可以大大降低互连电阻而且还能有效阻挡Cu扩散，从而整体上有效地提高了器件的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103137668A | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201110377995.X | 申请日期 | 2011.11.23 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 罗军;赵超;钟汇才;李俊峰;陈大鹏 |
| 分类号 | H01L29/417(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/417(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括衬底、衬底中的源漏区、衬底上的栅极堆叠结构和栅极侧墙、源漏区中的第一金属硅化物、分别位于源漏区以及栅极堆叠结构上方的接触栓塞、以及层间介质层，其特征在于：第一金属硅化物以及栅极堆叠结构上具有第二金属硅化物，接触栓塞与第二金属硅化物接触。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||