具有内侧墙的浅槽填充方法

摘要

本发明公开了一种具有内侧墙的浅槽填充方法，将形成内侧墙的材料由非掺杂的二氧化硅改为高n型掺杂的二氧化硅，从而在刻蚀形成内侧墙时，巧妙地利用了干法反刻对高n型掺杂的二氧化硅和非掺杂的二氧化硅具有较高选择比的特点，完整保留非掺杂的二氧化硅，从而在保护了硅材料不受损伤。又将首次形成衬垫氧化层的工艺由原有的热氧化生长工艺改为淀积工艺，而将再次形成的新的衬垫氧化层由淀积工艺改为热氧化工艺。由于硅材料并未受到任何损伤，因此热氧化生长的新的衬垫氧化层具有较高的质量，对湿法腐蚀工艺的承受能力较强。最终，在形成金属硅化物的步骤中，便降低结刺穿风险以及漏电水平。

主权项

一种具有内侧墙的浅槽填充方法，其特征是，包括如下步骤：第1步，先在硅片上刻蚀出沟槽，再在整个硅片淀积一层非掺杂的二氧化硅作为衬垫氧化层；第2步，在整个硅片淀积一层高n型掺杂的二氧化硅；第3步，对第2步淀积的高n型掺杂的二氧化硅进行干法反刻，刻蚀终止点为第1步淀积的衬垫氧化层；这一步结束后，沟槽中就形成了内侧墙；第4步，采用湿法腐蚀工艺去除内侧墙，该步湿法腐蚀工艺也会把沟槽侧壁和底部以及氮化硅掩蔽层侧面和顶面的衬垫氧化层去除；第5步，在整个硅片暴露出硅的区域热氧化生长一层二氧化硅作为新的衬垫氧化层；第6步，在沟槽中填充二氧化硅；第7步，先去除氮化硅掩膜层，露出下方的硅，再在硅片的表面暴露出硅的区域形成金属硅化物。