| 发明名称 | 改善锗硅膜层厚度均一性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种改善锗硅膜层厚度均一性的方法，该方法在常规的锗硅膜低温外延生长工艺中，在生长锗硅膜前的任意一个或多个连续的工艺步骤中，用常温气体吹承载硅片的基座，所述常温气体中不含有能够刻蚀所述基座的气体。本发明通过用大量常温气体吹硅片基座，提高了硅片上热量分布的均匀性，有效改善了后续生长的锗硅膜层厚度的面内均一性，从而提高了产品电性参数的面内均一性和良率。 | ||
| 申请公布号 | CN103137444A | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201110388437.3 | 申请日期 | 2011.11.29 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 钱志刚;季伟 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 刘昌荣 |
| 主权项 | 改善锗硅膜层厚度均一性的方法，其特征在于，在常规的锗硅膜低温外延生长工艺中，在生长锗硅膜之前的任意一个或多个连续的步骤中，用常温气体吹承载硅片的基座，所述常温气体中不含有能够刻蚀所述基座的气体。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||