晶片堆迭构造及其制造方法

摘要

本发明公开一种晶片堆迭构造及其制造方法，所述晶片堆迭构造包含一基板、一下晶片、一下底部填充胶、一上晶片、一上底部填充胶及数个第一接合胶块。所述第一接合胶块设置在所述下晶片与上晶片之间及所述上晶片的数个角隅处且分别接合所述下晶片与所述上晶片。通过将所述第一接合胶块分别贴附在所述上晶片底面的角隅处，并通过加热使所述第一接合胶块固定接合于所述上晶片的角隅及下晶片之间，进而在填充上底部填充胶的过程中，避免所述上晶片的角隅或边缘处发生翘曲而造成接触不良的情形。

主权项

一种晶片堆迭构造，其特征在于：所述晶片堆迭构造包含︰一基板，包含一基板表面，所述基板表面具有多个第一导电端子；一下晶片，所述下晶片包含一下晶片第一表面及一下晶片第二表面，其中所述下晶片第一表面面对所述基板表面及所述下晶片第二表面远离所述基板，所述下晶片第一表面具有数个第二导电端子，所述下晶片第二表面具有数个下第三导电端子，其中所述下晶片的第二导电端子电性连接所述基板的第一导电端子；一下底部填充胶，设置在所述基板与下晶片之间且包覆所述第二导电端子；一上晶片，所述上晶片包含一上晶片表面，其中所述上晶片表面具有数个第四导电端子，其中所述上晶片的第四导电端子电性连接所述下晶片第二表面的第三导电端子；数个第一接合胶块，设置在所述下晶片与上晶片之间及所述上晶片的数个角隅处且分别接合所述下晶片与所述上晶片；及一上底部填充胶，设置在所述下晶片与上晶片之间且包覆所述第四导电端子及所述第一接合胶块。