晶体管及半导体装置

摘要

本发明涉及晶体管及半导体装置。本发明的一个方式的目的是改善在氧化物半导体层中形成沟道的晶体管的开关特性。在氧化物半导体层的端部产生寄生沟道是因为晶体管的源极及漏极与该端部电连接。换言之，如果该端部不与晶体管的源极和漏极中的至少一方电连接，就不会在该端部产生寄生沟道。因此，本发明的一个方式提供一种晶体管，其中氧化物半导体层的端部不与源极和漏极中的至少一方电连接或者能够降低氧化物半导体层的端部不与源极和漏极中的至少一方电连接的概率。

主权项

一种半导体装置，包括：衬底上的栅极；所述栅极上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层上的包括第一部分及第二部分的氧化物半导体层，其中所述第一部分是端部，所述第二部分是所述端部之外的部分；以及所述氧化物半导体层上的第一导电层及第二导电层，其中，所述第一导电层及所述第二导电层不与所述第一部分接触但与所述第二部分接触，并且，所述第二部分的降阻元素的浓度低于所述第一部分的所述降阻元素的浓度。