| 发明名称 | 磁性材料层的形成方法及形成装置 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例提供了一种磁性材料层的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括用于形成磁性材料层的开口，覆盖所述开口底部和部分侧壁的底部电极层；采用还原金属氯化物的化学气相沉积工艺，形成覆盖所述基底的底部电极层表面的磁性材料层。形成的磁性材料层的质量好，最终形成的磁隧道结的性能好，磁存储器的稳定性高。相应的，本发明的实施例还提供了一种磁性材料层的形成装置，为上述磁性材料层的形成方法提供了条件，且结构简单，生产效率高。 | ||
| 申请公布号 | CN103137859A | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201110397659.1 | 申请日期 | 2011.12.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L43/12(2006.01)I;H01F41/22(2006.01)I;C23C16/38(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种磁性材料层的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括用于形成磁性材料层的开口；其特征在于，还包括：采用还原金属氯化物的化学气相沉积工艺，形成覆盖所述基底开口的底部或部分侧壁的磁性材料层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||