| 发明名称 | 半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 能够提供具备欧姆性和透过性尽可能良好的p电极的半导体发光元件。该半导体发光元件具备：基板；在基板上设置的n型半导体层；在n型半导体层的第1区域上设置的发光的活性层；在活性层上设置的p型半导体层；在p型半导体层上设置的且具有氧含有率小于40原子%的第1导电性氧化物层的p电极；以及在n型半导体层的第2区域上设置的n电极。 | ||
| 申请公布号 | CN103137821A | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201310075837.8 | 申请日期 | 2009.12.02 |
| 申请人 | 株式会社 东芝 | 发明人 | 村本卫司;布上真也 |
| 分类号 | H01L33/42(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/42(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 刘薇;陈海红 |
| 主权项 | 一种半导体发光元件，包括：n型半导体层；p型半导体层；在上述n型半导体层与上述p型半导体层之间形成的发光的活性层；p电极，其与上述p型半导体层接触，并包括氧含有率小于40原子%的第1导电性氧化物层和与上述第1导电性氧化物层接触且氧含有率比上述第1导电性氧化物层高的第2导电性氧化物层；以及与上述n型半导体层电连接的n电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||