高栅极密度器件和方法

摘要

本发明公开了一种具有隔离部件的半导体器件。所述半导体器件包括多个设置在半导体衬底上的栅极结构、形成在所述多个栅极结构的各个侧壁上的多个电介质材料的侧壁间隔件、设置在所述半导体衬底和所述栅极结构上的层间电介质(ILD)、嵌入所述半导体衬底并延伸至所述ILD的隔离部件以及设置在所述隔离部件的延伸部的侧壁上的电介质材料的侧壁间隔件。本发明还公开了高栅极密度器件和方法。

主权项

一种半导体器件，所述半导体器件包括：多个栅极结构，设置在半导体衬底上；多个电介质材料的栅极侧壁间隔件，形成在所述多个栅极结构的各个侧壁上；层间电介质(ILD)，设置在所述半导体衬底和所述栅极结构上；隔离部件，嵌入所述半导体衬底内并延伸至所述ILD；以及电介质材料的侧壁间隔件，设置在所述隔离部件的延伸部的侧壁上。