半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法

摘要

本发明提供一种能够利用简便的方法形成硬度高于利用以往方法形成的阳极氧化被膜而且没有发生裂缝的方面的问题、高硬度且低裂缝的平衡出色的阳极氧化被膜的半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法。该制造方法是在将铝合金或纯铝作为基材的构件的表面形成阳极氧化被膜，然后浸渍于纯水中而对所述阳极氧化被膜进行水合处理的半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法，其中，在满足处理温度：80℃～100℃、处理时间(分钟)≥-1.5×处理温度(℃)+270的条件下实施所述水合处理。

主权项

一种半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法，其是在将铝合金或纯铝作为基材的构件的表面形成阳极氧化被膜后，浸渍于纯水中而对所述阳极氧化被膜进行水合处理的半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法，其特征在于，在满足处理温度：80℃～100℃、处理时间(分钟)≥‑1.5×处理温度(℃)+270的条件下实施所述水合处理，在所述水合处理之后，在满足处理温度：120℃～450℃、处理时间(分钟)≥‑0.1×处理温度(℃)+71的条件下实施热处理。