发明名称 |
用于页复制操作的可纠错的非易失性存储器及其方法 |
摘要 |
公开了一种在页复制操作过程中具有错误检测和校正功能的NAND闪存。该NAND闪存可以防止从源页转录错误位到一个复制页。本发明闪存的实施例包括一个用于校正存储在页缓冲器中源数据的位错误的校正电路,一个配置得适于提供源数据到校正电路以及提供校正数据到页缓冲器的电路,和一个配置得适于复制源数据到页缓冲器、并将校正数据从页缓冲器存储到另一个页的复制电路。 |
申请公布号 |
CN103136068A |
申请公布日期 |
2013.06.05 |
申请号 |
CN201310047282.6 |
申请日期 |
2004.04.05 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
李真烨 |
分类号 |
G06F11/10(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I |
主分类号 |
G06F11/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
张泓 |
主权项 |
一种存储器系统,包括:存储单元阵列,存储多页数据;页缓冲器,锁存并输出从存储单元阵列的第一位置读取的源页,响应于复录编程命令将经错误处理后的页写入存储单元阵列的第二位置;以及错误校正电路,检测或校正通过输入/输出线从页缓冲器输出的源页的错误,并转移回页缓冲器作为经错误处理后的页。 |
地址 |
韩国京畿道 |