电子束曝光方法

摘要

本发明公开了一种电子束曝光方法，包括：s1、在待加工样品上涂覆一层底层电子束抗蚀剂；s2、在底层的电子束抗蚀剂上形成金属层；s3、在金属层上涂覆一层顶层电子束抗蚀剂；s4、电子束曝光，在顶层电子束抗蚀剂上面形成所需要的纳米尺寸的曝光图形；s5、用顶层电子束抗蚀剂做掩膜刻蚀金属层及底层电子束抗蚀剂，将曝光图形转移到待加工样品上。此种可以消除绝缘材料在电子束曝光过程中产生的电荷积累效应的方法，解决了常规工艺中不能在绝缘材料上进行电子束曝光的难题，可以很好在绝缘材料上实现纳米尺度图形的制作。

主权项

一种电子束曝光方法，其特征在于，包括：s1、在待加工样品上涂覆一层底层电子束抗蚀剂；s2、在底层的电子束抗蚀剂上形成金属层；s3、在金属层上涂覆一层顶层电子束抗蚀剂；s4、电子束曝光，在顶层电子束抗蚀剂上面形成所需要的纳米尺寸的曝光图形；s5、用顶层电子束抗蚀剂做掩膜刻蚀金属层及底层电子束抗蚀剂，将曝光图形转移到待加工样品上，所述的待加工样品为绝缘材料或低电导率的材料，所述的低电导率材料的电导率为10‑18s/m~10‑13s/m。