| 发明名称 | 一种电触点用Ag/Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合膜及其制备和应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及复合膜制备技术，更具体地说，是涉及一种电触点用Ag/Cr2O3复合膜及其制备和应用。复合膜由Ag基体和弥散其中的Cr2O3颗粒组成：按质量百分数计，Cr2O3颗粒含量为1.5％-15.0％，其余为Ag。复合膜的制备分两步进行：首先采用Ag与Cr颗粒共电沉积的方法在浸Ag打底的Cu基体上制备Cr颗粒弥散分布的Ag/Cr复合镀层；然后通过Cr颗粒的原位内氧化，使Ag/Cr复合镀层中的Cr颗粒氧化生成Cr2O3颗粒并均匀弥散于Ag基体中从而获得Ag/Cr2O3复合膜。本发明工艺简单、成熟，易于推广。与采用复合电沉积制备的Ag/3.9Cr2O3复合膜和文献中报道的采用合金内氧化法制备的常用Ag/MexOy型电触点材料(如Ag/12CdO)相比，本发明实施例Ag/4.0Cr2O3复合膜的密度和电阻率相当，硬度明显较高。 | ||
| 申请公布号 | CN102592699B | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201110388963.X | 申请日期 | 2011.11.30 |
| 申请人 | 中国科学院金属研究所 | 发明人 | 彭晓;张洪亮;王福会 |
| 分类号 | H01B1/02(2006.01)I;H01B1/08(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;H01H1/04(2006.01)I;H01H11/04(2006.01)I | 主分类号 | H01B1/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人 | 张志伟 |
| 主权项 | 一种电触点用Ag/Cr2O3复合膜，其特征在于，复合膜由Ag基体和弥散其中的Cr2O3颗粒组成，按质量百分数计，Cr2O3颗粒含量为1.5%‑15.0%，其余为Ag；复合膜的制备分两步进行：1) 首先采用Ag与Cr颗粒共电沉积的方法在浸Ag打底的Cu基体上制备Cr颗粒弥散分布的Ag/Cr复合镀层；2) 然后通过Cr颗粒的原位内氧化，使Ag/Cr复合镀层中的Cr颗粒氧化生成Cr2O3颗粒并均匀弥散于Ag基体中从而获得Ag/Cr2O3复合膜。 | ||
| 地址 | 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 | ||