发明名称 |
二氧化硅介质化学机械抛光液的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种二氧化硅介质化学机械抛光液的制备方法,该方法根据SiO2介质能和碱发生化学反应,抛光液选用碱性介质。该抛光液选用纳米SiO2磨料,磨料的浓度为4-50wt%,粒径40-100nm,以利于材料的去除及表面平整化。抛光液的pH值9-13,既能满足有效去除,也能保证硅溶胶的稳定性。制备过程中采用负压搅拌制备法,避免了传统的复配、机械搅拌等制备方法带来的有机物、大颗粒、金属离子等的污染,可达到超净的要求;同时可实现纳米SiO2磨料高浓度、高pH值条件下不凝聚、不溶解。利用该方法制备的SiO2介质抛光液,在相应的抛光工艺条件下进行抛光,可实现SiO2介质表面的高精密加工,满足微电子工业对SiO2介质CMP精密加工的要求。具有高速率、低粗糙、环保、成本低等优点。 |
申请公布号 |
CN102010663B |
申请公布日期 |
2013.06.05 |
申请号 |
CN201010231555.9 |
申请日期 |
2010.07.21 |
申请人 |
天津晶岭微电子材料有限公司 |
发明人 |
刘玉岭;檀柏梅;刘海晓 |
分类号 |
H01L21/304(2006.01)I;C09G1/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/304(2006.01)I |
代理机构 |
天津市三利专利商标代理有限公司 12107 |
代理人 |
刘英兰 |
主权项 |
一种二氧化硅介质化学机械抛光液的制备方法,其特征在于实施步骤如下:以下均按重量百分比计:(1)将磨料碱性纳米SiO2水溶胶在负压下形成涡流吸入负压反应釜;所述磨料重量浓度为4‑50wt%,加入量是所配抛光液总重量的20‑90%;(2)用负压向反应釜中吸入去离子水,加入量是所配抛光液总重量的5‑75%; (3)在负压涡流状态下逐渐加入胺碱为1‑5%,胺碱调节pH值为9‑13; (4)在负压涡流状态下逐渐加入FA/OII型螯合剂为0.25‑2%;(5)在负压涡流状态下逐渐加入FA/OII型活性剂为0.25‑2%; (6)充分搅拌均匀后进行灌装。 |
地址 |
300130 天津市红桥区光荣道8号 |