一种硅电力电子器件钼片镀镍方法

摘要

本发明涉及一种硅电力电子器件钼片镀镍方法，其特征是：所述钼片放入滚筒内一起浸入镀液中滚镀，镀液中含硫酸镍250g/L、氯化镍50g/L、硼酸45g/L和硫酸镁20g/L；镀液温度40-55℃，pH值为8-9，滚筒转速10-15转/分，电镀电源阳极与电镀的金属镍板连接，阳极电流80-90A，阴极引入滚筒内与钼片接触，电镀时间40-60分钟；钼片一次镀镍后倒出滚筒用清水清洗干净，然后烘干按常规放进通氢炉合金，退火后按上述方法重复进行第二次镀镍，再倒出钼片清洗、烘干完成。所述钼片镀镍层厚度易控制，且操作方便，镀液可重复使用。

主权项

一种硅电力电子器件钼片镀镍方法，其特征是：所述钼片放入滚筒内一起浸入镀液中滚镀，镀液中含硫酸镍250g/L 、氯化镍50g/L、硼酸45g/L和硫酸镁20g/L；镀液温度为40‑55℃，PH值为8‑9，滚筒转速10‑15转/分，电镀电源阳极与电镀的金属镍板连接，阳极电流80‑90A，阴极引入滚筒内与钼片接触，电镀时间40‑60分钟；钼片一次镀镍后倒出滚筒用清水清洗干净，然后烘干按常规放进通氢炉合金，退火后按上述方法重复进行第二次镀镍，再倒出钼片清洗、烘干完成。