发明名称 镀膜装置
摘要 本发明提供一种镀膜装置,其包括一个外壳、一个反应装置及一个用于控制镀膜过程的控制装置。反应装置包括一个外筒、一个内筒及至少一个导管。外筒设于外壳内,内筒设于外筒内。外壳与外筒间形成一个用于收容待镀膜基板的主腔体,外筒与内筒间形成一个用于容纳气相沉积气体的第一腔体,内筒形成有一个用于收容溅射靶材的第二腔体。外筒开设有第一通孔及第二通孔,第一通孔连通第一腔体与主腔体以允许气相沉积气体沉积在基板上。内筒开设有第三通孔,每个导管连通对应的一个第二通孔与第三通孔,以将第二腔体连通至主腔体以允许溅射靶材通过导管溅射基板。基板通过控制装置控制可在同一位置分别被溅射镀膜及气相沉积镀膜,降低基板粘附杂质的几率。
申请公布号 CN102080214B 申请公布日期 2013.06.05
申请号 CN200910310691.4 申请日期 2009.11.30
申请人 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 发明人 裴绍凯
分类号 C23C14/56(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I 主分类号 C23C14/56(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种镀膜装置,其包括一个外壳、一个反应装置及一个控制装置;其特征在于:该外壳的内壁开设有至少一个用于承靠待镀膜基板的基板槽;该反应装置包括一个外筒、一个内筒及至少一个导管;该外筒设置于该外壳内,该内筒设置于该外筒内,该外壳与该外筒之间形成一个主腔体,该外筒与该内筒之间形成一个用于容纳气相沉积气体的第一腔体,该内筒形成有一个用于收容溅射靶材的第二腔体;该外筒开设有至少一个第一通孔及至少一个第二通孔;该第一通孔连通该第一腔体与该主腔体以允许该第一腔体的气相沉积气体沉积在基板上;该内筒开设有至少一个第三通孔;每个导管连通对应的一个第二通孔与第三通孔,以将该第二腔体连通至该主腔体以允许该溅射靶材通过该至少一个导管溅射基板;该控制装置用于控制基板在同一位置分别进行溅射镀膜及气相沉积镀膜。
地址 518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号