移除氧化层的半导体制作工艺

摘要

本发明公开一种移除氧化层的半导体制作工艺，其步骤包含提供一含有隔离结构与垫氧化层的基底、进行一干式清洗制作工艺与一湿式清洗制作工艺来移除该垫氧化层、形成一牺牲氧化层于该基底上、进行一离子注入步骤以在该隔离结构两旁形成掺杂阱区。

主权项

一种移除氧化层的半导体制作工艺，包含有：提供一基底，该基底包含一隔离结构以及一垫氧化层，该隔离结构至少将该基底区分为一第一区以及一第二区，且该垫氧化层位于该第一区以及该第二区的表面；进行一干式清洗制作工艺与一湿式清洗制作工艺来移除该垫氧化层；形成一牺牲氧化层于该第一区以及该第二区上；以及进行一离子注入步骤以在该第一区与第二区形成各别的掺杂阱区。