发明名称 |
一种激光辅助无损转移化学气相沉积石墨烯的方法 |
摘要 |
本发明属于半导体制备技术领域,提供了一种激光辅助无损转移化学气相沉积石墨烯的方法,该方法在蓝宝石衬底上依次生长GaN和Cu薄层,进而在Cu薄层上CVD淀积石墨烯,同时通过改变GaN薄层的生长厚度和激光波长能量,利用激光剥离衬底,实现石墨烯高效转移;该方法生长转移获得石墨烯时,节省了金属箔的使用,缩短了腐蚀金属所需要的时间,所得石墨烯的质量较高,该方法采用的激光剥离技术,可高效无损的使石墨烯与衬底分离,同时采用很薄的Cu金属膜,可用较短时间彻底去除,消除了Cu杂质对石墨烯的影响,实用性强,具有较强的推广与应用价值。 |
申请公布号 |
CN103132047A |
申请公布日期 |
2013.06.05 |
申请号 |
CN201210593930.3 |
申请日期 |
2012.12.31 |
申请人 |
西安电子科技大学 |
发明人 |
闫景东;王东;宁静;柴正;韩砀;张进成;郝跃 |
分类号 |
C23C16/26(2006.01)I;C23C16/01(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/26(2006.01)I |
代理机构 |
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 |
代理人 |
汤东凤 |
主权项 |
一种激光辅助无损转移化学气相沉积石墨烯的方法,其特征在于,该方法在蓝宝石衬底上依次生长GaN和Cu薄层,进而在Cu薄层上CVD淀积石墨烯,同时通过改变GaN薄层的生长厚度和激光波长能量,利用激光剥离衬底,实现石墨烯高效转移。 |
地址 |
710065 陕西省西安市雁塔区太白南路2号 |