发明名称 发光二极管及应用该发光二极管的直下式背光源
摘要 一种发光二极管,包括基板、发光二极管芯片、第一电极、第二电极、封装层及反射层,该基板开设一个凹槽,反射层贴附在该凹槽的底面上,该发光二极管芯片置于该凹槽内且位于该反射层的上方,该发光二极管芯片具有一个朝向该反射层的出光面,该封装层填充在该基板的凹槽内以覆盖该反射层且包覆该发光二极管芯片,该反射层包括一个第一反射层及一个第二反射层,该第一反射层位于该凹槽底面,该第二反射层环绕在该第一反射层的外围并与第一反射层相连,第一反射层的曲率小于第二反射层的曲率。第二反射层将发光二极管芯片发出的光线较多的反射到发光二极管芯片两侧,使芯片具有较强的侧向光。本发明还提供一种具有该发光二极管的直下式背光源。
申请公布号 CN103137823A 申请公布日期 2013.06.05
申请号 CN201110378364.X 申请日期 2011.11.24
申请人 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 发明人 张超雄;林厚德
分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/60(2010.01)I 主分类号 H01L33/48(2010.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极管,包括一个基板、一个发光二极管芯片、第一电极、第二电极、一个封装层及一个反射层,其特征在于:该基板开设一个凹槽,所述反射层贴附在该凹槽的底面上,该发光二极管芯片置于该凹槽内且位于该反射层的上方,该封装层填充在该基板的凹槽内以覆盖该反射层且包覆该发光二极管芯片,该反射层包括一个第一反射层及一个第二反射层,该第一反射层位于该凹槽底面中央,该第二反射层环绕在该第一反射层的外围并与第一反射层相连,第一反射层的曲率小于第二反射层的曲率,该发光二极管芯片与该第一电极及第二电极电连接,该发光二极管芯片具有一个与该反射层相对的出光面。
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