发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
本发明提供一种半导体装置,其具有沿着一个方向层叠的存储芯片,每个存储芯片中布置有位线和字线,并且每个芯片具有存储块,每个存储块具有存储器单元。半导体装置包括:位线感测放大器,其与布置在每个存储芯片中的位线耦接并配置成将多个位线之中的使能的存储芯片的位线使能;以及子字线驱动器,其与布置在每个存储芯片中的字线耦接,并配置成将多个字线之中的使能的存储芯片的字线使能。位线感测放大器和子字线驱动器被设置在任一个存储芯片中。 |
申请公布号 |
CN103137186A |
申请公布日期 |
2013.06.05 |
申请号 |
CN201210457527.8 |
申请日期 |
2012.11.14 |
申请人 |
爱思开海力士有限公司 |
发明人 |
金定焕 |
分类号 |
G11C11/4063(2006.01)I;G11C11/413(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/4063(2006.01)I |
代理机构 |
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 |
代理人 |
石卓琼;郭放 |
主权项 |
一种半导体装置,所述半导体装置具有多个层叠的存储芯片,每个存储芯片都包括存储块,每个存储块都包括存储器单元,所述存储器单元被配置用于经由布置在每个存储芯片中的位线和字线而存取数据,所述半导体装置包括:位线感测放大器,所述位线感测放大器被设置在所述存储芯片中的一个中,其中所述位线感测放大器配置成控制所述层叠的存储芯片中的任一个存储芯片中的位线的使能;以及子字线驱动器,所述子字线驱动器被设置在所述存储芯片中的一个中,其中所述子字线驱动器配置成控制所述层叠的存储芯片中的任一个存储芯片中的字线的使能。 |
地址 |
韩国京畿道 |