| 发明名称 | 离子注入机控制系统 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种离子注入机控制系统，包括电源系统，反应腔室、预抽腔室、工控机，工控机，所述工控机控制所述反应腔室、预抽腔室的真空度、硅片反应过程及取片过程。本发明提供的一种离子注入机控制系统采用PXI标准，选用工控机与数据采集卡相结合的方式，构建了一种注入机的控制系统，具有高性能和扩展性强的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN103137413A | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201110391341.2 | 申请日期 | 2011.11.30 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王蒙;李勇滔;赵章琰;李超波;夏洋 |
| 分类号 | H01J37/317(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/317(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 刘丽君 |
| 主权项 | 一种离子注入机控制系统，包括电源系统，反应腔室、预抽腔室、其特征在于，还包括：工控机，所述工控机控制所述反应腔室、预抽腔室的真空度、硅片反应过程及取片过程；所述反应过程包括硅片反应位置、硅片反应气体条件。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||