半导体器件的制作方法

摘要

本发明揭示了一种半导体器件的制造方法，通过将虚设栅极上用于保护虚设栅极叠层的第一阻挡层的材料由现有技术的氮化硅材质替换为氮化钛、氮化钽、钛、钽中的一种或其组合，从而能够在满足同等工艺要求下，降低虚设栅极叠层的厚度，避免源/漏注入的离子束被虚设栅极叠层遮挡，提高源/漏注入的效率；并且，在化学机械研磨形成层间介质层过程中，能够及时停止于第一阻挡层上，维持了层间介质层的厚度和虚设栅极叠层的厚度，提高了层间介质层的介电性能以及其后形成的金属栅极的功函数，进而提高了半导体器件的性能。

主权项

一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，其上依次形成有栅极介质层、多晶硅层和第一阻挡层，所述第一阻挡层的材质为氮化钛、氮化钽、钛、钽中的一种或其组合；利用光刻和刻蚀工艺，图案化所述第一阻挡层、多晶硅层和栅极介质层，以形成虚设栅极叠层；进行源/漏注入，在所述虚设栅极叠层两侧的半导体衬底中形成源/漏区；在所述半导体衬底上沉积层间介质层；进行化学机械研磨，停止于所述第一阻挡层上；去除所述虚设栅极叠层的第一阻挡层和多晶硅层，并形成金属栅极。