发明名称 一种铝诱导晶化多晶硅薄膜太阳能电池及制备方法
摘要 一种铝诱导晶化多晶硅薄膜太阳能电池及制备方法,属于晶硅薄膜太阳能电池领域。其结构依次包括:玻璃衬底、金属铝背反射层、P+型背表面场层、P型吸收层、N+型发射层,在P+型背表面场层和N+型发射层上均有金属电极。采用铝诱导晶化工艺,在玻璃衬底上依次沉积非晶硅薄膜和铝薄膜,厚度范围分别为100-150nm之间和100-120nm之间,经过450-500℃退火处理1-5小时,硅层和铝层位置会发生互换,同时非晶硅转变成晶粒尺寸为5-10μm的多晶硅,继续制备太阳能电池的P型吸收层、N+型发射层结构和金属电极。本发明理论上可以降低原先电池50%的厚度,大幅节约原料成本。
申请公布号 CN103137765A 申请公布日期 2013.06.05
申请号 CN201310044914.3 申请日期 2013.02.04
申请人 北京工业大学 发明人 张铭;王涛;严辉;沈华龙;王波;宋雪梅;朱满康;侯育冬;刘晶冰;汪浩
分类号 H01L31/068(2012.01)I;H01L31/075(2012.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I 主分类号 H01L31/068(2012.01)I
代理机构 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人 张慧
主权项 一种铝诱导晶化多晶硅薄膜电池,其特征在于,其结构依次包括:玻璃衬底、金属铝背反射层、P+型背表面场层、P型吸收层、N+型发射层,在P+型背表面场层和N+型发射层上均有金属电极。
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