| 发明名称 | 磁隧道结及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种磁隧道结，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底内的开口；固定磁性材料层，位于所述开口的底部和部分侧壁；隧道绝缘材料层，覆盖所述固定磁性材料层和部分开口的侧壁；自由磁性材料层，位于所述开口内、且覆盖所述隧道绝缘材料层。形成的磁隧道结与顶部电极层和底部电极层的接触面积增大，磁存储器的驱动电流增加，性能更好。相应的，本发明的实施例还提供了一种磁隧道结的形成方法，形成的磁隧道结的质量好，稳定性高，磁存储性能好，且工艺简单。 | ||
| 申请公布号 | CN103137849A | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201110397317.X | 申请日期 | 2011.12.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L43/02(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种磁隧道结，其特征在于，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底内的开口；固定磁性材料层，位于所述开口的底部和部分侧壁；隧道绝缘材料层，覆盖所述固定磁性材料层和部分开口的侧壁；自由磁性材料层，位于所述开口内、且覆盖所述隧道绝缘材料层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||