| 发明名称 | 用于双极型阻变存储器交叉阵列集成方式的选通器件单元 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于双极型阻变存储器交叉阵列集成方式的选通器件单元，其特征在于，该选通器件单元包括一个n-p二极管和一个p-n二极管，该n-p二极管和该p-n二极管的极性相反且并联连接，使该选通器件单元具有双向整流特性。本发明提供的这种用于双极型阻变存储器交叉阵列集成方式的选通器件单元，具有双向整流特性，即在导通态时在任意电压极性下都能够提供较高的电流密度，同时在读电压下也具有较大的整流比(RV/2/RV)，因此能够抑制双极型阻变存储器交叉阵列结构中的读串扰现象，避免误读，解决了普通整流二极管只适用于单极型阻变存储器交叉阵列的难题。 | ||
| 申请公布号 | CN103137646A | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201310084292.7 | 申请日期 | 2013.03.15 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘琦;刘明;龙世兵;吕杭炳;王艳 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种用于双极型阻变存储器交叉阵列集成方式的选通器件单元，其特征在于，该选通器件单元包括一个n‑p二极管(11)和一个p‑n二极管(12)，该n‑p二极管(11)和该p‑n二极管(12)的极性相反且并联连接，使该选通器件单元具有双向整流特性。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||