| 发明名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在包含硅元素的衬底上形成栅极堆叠结构；在衬底以及栅极堆叠结构上沉积镍基金属层；执行第一退火，使得衬底中的硅与镍基金属层反应形成富镍相金属硅化物；执行离子注入，将掺杂离子注入富镍相金属硅化物中；执行第二退火，使得富镍相金属硅化物转化为镍基金属硅化物源漏，并同时在镍基金属硅化物源漏与衬底的界面处形成掺杂离子的分离凝结区。依照本发明的半导体器件制造方法，通过向富镍相金属硅化物中注入掺杂离子后再退火，提高了掺杂离子的固溶度并形成了较高浓度的掺杂离子分离凝结区，从而有效降低了镍基金属硅化物与硅沟道之间的肖特基势垒高度，提高了器件的驱动能力。 | ||
| 申请公布号 | CN103137486A | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201110391447.2 | 申请日期 | 2011.11.30 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 罗军;赵超;钟汇才;李俊峰;陈大鹏 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：在包含硅元素的衬底上形成栅极堆叠结构；在衬底以及栅极堆叠结构上沉积镍基金属层；执行第一退火，使得衬底中的硅与镍基金属层反应形成富镍相金属硅化物；执行离子注入，将掺杂离子注入富镍相金属硅化物中；执行第二退火，使得富镍相金属硅化物转化为镍基金属硅化物源漏，并同时在镍基金属硅化物源漏与衬底的界面处形成掺杂离子的分离凝结区。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||