FinFET器件的制造方法及结构

摘要

本发明提供一种FinFET器件的制造方法及结构，采用沙漏状的鳍形应变硅沟道区替换传统的长方状或方状的鳍形应变硅沟道区，增大了鳍形应变硅沟道的宽长比，使得FinFET器件的驱动电流显著提高，制造工艺简单。

主权项

一种FinFET器件的制造方法，其特征在于，包括：提供硅衬底，在所述硅衬底上形成应变硅层；图案化所述应变硅层，形成源区和漏区以及位于所述源区和漏区之间的沙漏状的鳍形应变硅沟道区；形成围绕在所述沙漏状的鳍形应变硅沟道区两侧和上方的栅极结构；以所述栅极结构为掩膜，对所述源区和漏区进行源/漏极离子注入，形成源极和漏极。