| 发明名称 | 一种雪崩光电二极管APD耦合电源 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种雪崩光电二极管APD耦合电源，包括：单片机MCU单元，用于获取带有APD倍增因子的光发射次模块BOSA/光接收次模块ROSA器件的击穿电压，并根据输出模式的不同计算出器件的工作电压，控制高压芯片恒定输出高压至所述BOSA/ROSA器件。本实用新型采取了上述技术方案以后，可自动测试击穿电压、响应电流，同时是同调制光源输出及示波器接口。整个系统集成了高压源和调制光源，并具有较高的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN202975081U | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201220624615.8 | 申请日期 | 2012.11.13 |
| 申请人 | 武汉普赛斯电子技术有限公司 | 发明人 | 黄秋元 |
| 分类号 | G01R1/28(2006.01)I | 主分类号 | G01R1/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种雪崩光电二极管APD耦合电源，其特征在于，包括：单片机MCU单元，用于获取带有APD倍增因子的光发射次模块BOSA/光接收次模块ROSA器件的击穿电压，并根据输出模式的不同计算出器件的工作电压，并控制高压芯片恒定输出高压至所述BOSA/ROSA器件。 | ||
| 地址 | 430000 湖北省武汉市东湖高新区武大科技园武大园二路兴业楼南楼一单元802室 | ||