各向异性导电接合组件

摘要

提供一种各向异性导电接合组件，其中各向异性导电膜被接合到至少一种导电材料上，所述至少一种材料选自金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、镍(Ni)、铟掺杂的氧化锡(ITO)、钼(Mo)、铁(Fe)、Pd(钯)、铍(Be)和铼(Re)。所述组件的特征在于：所述各向异性导电膜具有绝缘基底和导电通道，所述导电通道由导电构件构成，彼此绝缘，并且在所述绝缘基底的厚度方向上延伸通过所述绝缘基底，导电通道的一端暴露于所述绝缘基底的一侧，并且另一端暴露于另一侧，所述导电通道的密度是3,000,000个/mm2以上，并且所述绝缘基底是具有微孔的铝基板的阳极氧化膜构成的结构体，并且每一个微孔沿着深度都没有分支结构。通过显著提高了导电通道的设置密度，即使结构体实现了更高的集成度，所述组件也可以被用作半导体器件等的电子部件的各向异性导电构件或用于检查的连接器。

主权项

一种制造各向异性导电接合组件的方法，其中形成接合以在各向异性导电膜与导电元件之间建立电连接，或在各向异性导电膜与隔着所述各向异性导电膜的两个导电元件层之间建立电连接，所述方法包括下列步骤：通过热压缩粘合进行接合，并且压缩粘合温度是140℃至800℃，按每单位电极面积计的压缩粘合压力是1MPa至500MPa，压缩粘合时间为5秒至10分钟，并且在采用所述热压缩粘合的接合过程中的气氛处于不大于10‑1Pa的压力，其中在所述各向异性导电接合组件中，各向异性导电膜被接合到至少一种材料的导电元件上，所述至少一种材料选自金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、镍(Ni)、铟掺杂的氧化锡(下文中简称为″ITO″)、钼(Mo)、铁(Fe)、Pd(钯)、铍(Be)和铼(Re)，其中所述各向异性导电膜具有绝缘基底和导电通道，所述导电通道由导电材料构成，彼此绝缘，并且在所述绝缘基底的厚度方向上延伸通过所述绝缘基底，所述导电通道的每一个的一端暴露于所述绝缘基底的一侧，并且所述导电通道的每一个的另一端暴露于所述绝缘基底的另一侧，其中所述导电通道的密度是3,000,000个/mm2以上，并且所述绝缘基底是由具有微孔的铝基板的阳极氧化膜构成的结构体，并且其中所述微孔在它们的深度方向上没有分支结构。