一种提高LED芯片制造精度的方法

摘要

本发明提供一种提高LED芯片制造精度的方法，该方法在蓝宝石衬底上生长GaN外延层后，对LED晶片边缘伴随生长产生的外延层GaN突起进行斜角研磨以实现整体厚度一致的LED晶片，在接触式曝光工艺、蓝宝石背面减薄工艺及制造垂直结构GaN基LED芯片的晶片键合工艺中，使LED晶片中心和边缘均与光刻板、陶瓷衬底板、转移衬底硅片实现无缝接触。有效避免接触式曝光由于接触不良引起的曝光线条粗细一致性的问题，提高了曝光精度；有效避免蓝宝石背面减薄过程中LED晶片薄片中心与边缘厚度不一致，提高蓝宝石背面减薄精度和最终芯片厚度精度；提高制造垂直结构GaN基LED芯片的键合精度，以提高垂直结构GaN基LED芯片的制备良率。

主权项

一种提高LED芯片制造精度的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：步骤一，提供一蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上生长GaN外延层，伴随所述GaN外延层的生长所述蓝宝石衬底的边缘形成有外延层GaN突起；步骤二，在所述GaN外延层表面旋涂流体保护材料以形成保护层；步骤三，对所述保护层进行坚膜处理以形成LED晶片样品；步骤四，对所述LED晶片样品的边缘进行斜角研磨以去除所述外延层GaN突起，以制造出整体厚度一致的LED晶片。