一种光刻胶剥离方法

摘要

本发明提出了一种光刻胶剥离方法，提供一晶片，所述晶片器件面涂覆光刻胶后光刻所述光刻胶形成光刻图案，应用于离子注入后的光刻图案，所述离子注入在所述光刻图案表面形成无定形碳层，该方法还包括，通过在湿法刻蚀时加热晶片，将晶片上的热量传递到与光刻图案反应的湿法刻蚀溶液中，激发湿法刻蚀溶液的反应离子的活性，从而能够完全去除离子注入后的光刻胶表面的无定形碳层以及其下方的光刻胶。本发明提出的光刻胶剥离方法解决了由于湿法刻蚀溶液温度无法高于输送其的塑料管道的耐热温度上限，而导致的无法完全去除光刻胶的问题，使光刻胶剥离更容易，同时节约了湿法刻蚀剥离光刻胶的时间。

主权项

一种光刻胶剥离方法，提供一具有光刻图案的晶片，所述光刻图案是对涂覆在所述晶片器件面的光刻胶进行光刻后形成，以所述光刻图案为遮蔽对所述晶片器件面进行离子注入后，其特征在于，该方法还包括：加热所述晶片，将湿法刻蚀溶液喷洒在所述加热后晶片上得到加热后湿法刻蚀溶液，所述加热后湿法刻蚀溶液的温度大于输送湿法刻蚀溶液的塑料管道的耐热温度上限，用所述加热后湿法刻蚀溶液湿法刻蚀去除所述加热后晶片上的光刻图案，完成光刻胶剥离。