发明名称 |
一种采用多层介质膜反射的垂直结构发光二极管制作方法 |
摘要 |
一种采用多层介质膜反射的垂直结构发光二极管制作方法,涉及半导体光电器件。本发明方法包括步骤:①在蓝宝石衬底上外延生长GaN基外延层;②在p型GaN基半导体层上沉积多层介质膜,去除部分区域的多层介质膜,露出p型GaN半导体层表面;③在多层介质膜及暴露的p型GaN半导体层上表面沉积欧姆接触金属层;④在欧姆接触金属层上表面沉积电镀种子层;⑤在电镀种子层上表面形成金属衬底;⑥将蓝宝石衬底去除,并将器件倒置;⑦在n型GaN基半导体层上表面沉积p型电极;⑧在金属衬底下表面沉积n型电极。本发明采用多层介质膜进一步提高垂直结构发光二极管p型GaN欧姆接触层的反射率,从而有效提高GaN基垂直结构发光二极管的光提取效率。 |
申请公布号 |
CN103137793A |
申请公布日期 |
2013.06.05 |
申请号 |
CN201110379687.0 |
申请日期 |
2011.11.25 |
申请人 |
同方光电科技有限公司 |
发明人 |
郭德博 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种采用多层介质膜反射的垂直结构发光二极管制作方法,它包括步骤:①在蓝宝石衬底(100)上外延生长GaN基外延层(101),GaN基外延层(101)从下至上依次包括n型GaN基半导体层、活性层和p型GaN半导体层;②在p型GaN基半导体层上沉积多层介质膜(102),去除部分区域的多层介质膜(102),露出p型GaN半导体层表面;③在多层介质膜(102)及暴露的p型GaN半导体层上表面沉积具有高反射率的欧姆接触金属层(103);④在欧姆接触金属层(103)上表面沉积电镀种子层(104);⑤在电镀种子层(104)上表面通过电镀的方式形成金属衬底(105);⑥将蓝宝石衬底(100)去除,并将器件倒置;⑦在n型GaN基半导体层上表面沉积p型电极(107);⑧在金属衬底(105)下表面沉积n型电极(106)。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层 |