一种用于高压集成电路的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种用于高压集成电路的半导体器件，包括：位于衬底内的P阱区，P阱区包括低压P阱区和高压P阱区；位于P阱区上表面的局部厚氧化层；位于P阱区内的P型掺杂区，P型掺杂区是通过一次掩膜曝光，向低压P阱区及高压P阱区的场区上表面内进行P场注入，以及向低压P阱区的有源区再进行防穿通注入形成；位于P阱区有源区上的栅氧化层；位于所述栅氧化层上表面的多晶硅栅；位于所述有源区和多晶硅层上的介质层和接触孔；位于所述介质层上表面和接触孔内的金属层。本发明实施例提供的半导体器件及其制造方法，降低了制造成本及传统工艺的复杂操作，并且也达到了保证器件和集成电路的性能的效果。

主权项

一种用于高压集成电路的半导体器件，其特征在于，包括：位于衬底内的P阱区，所述P阱区包括低压P阱区和高压P阱区；位于所述P阱区上表面的局部厚氧化层；位于P阱区内的P型掺杂区，所述P型掺杂区是通过一次掩膜曝光，向低压P阱区及所述高压P阱区的场区上表面内进行P场注入，以及向所述低压P阱区的有源区再进行防穿通注入形成；位于所述P阱区有源区上的栅氧化层；位于所述栅氧化层上表面的多晶硅栅；位于所述有源区和多晶硅层上的介质层和接触孔；位于所述介质层上表面和接触孔内的金属层。