发明名称 | 超小尺寸芯片的硅片级量产测试方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种超小尺寸芯片的硅片级量产测试方法,包括如下步骤:第1步,一个硅片上具有多个相同结构的超小尺寸芯片;将相邻的多个超小尺寸芯片组成集合,所述集合的长度和宽度均大于0.5毫米;第2步,探针台扫描硅片,并为硅片上的集合制作品种参数图;所述品种参数图至少包括集合的长度和宽度,以及集合中每个超小尺寸芯片相对于该集合的相对坐标;第3步,连接探针台的测试仪调用集合的品种参数图,对硅片上的每个集合中的每个超小尺寸芯片进行测试,并生成每个集合的测试结果图;第4步,测试仪将硅片上的所有集合的测试结果图整合为一张,即生成整个硅片的测试结果图。本发明可以有效地满足对超小尺寸芯片的硅片级量产测试需求。 | ||
申请公布号 | CN103135021A | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
申请号 | CN201110374717.9 | 申请日期 | 2011.11.22 |
申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 朱渊源 |
分类号 | G01R31/01(2006.01)I | 主分类号 | G01R31/01(2006.01)I |
代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
主权项 | 一种超小尺寸芯片的硅片级量产测试方法,所述超小尺寸芯片指芯片的长度和宽度均在0.5毫米以下;其特征是,包括如下步骤:第1步,一个硅片上具有多个相同结构的超小尺寸芯片;将相邻的多个超小尺寸芯片组成集合,所述集合的长度和宽度均大于0.5毫米;第2步,探针台扫描硅片,并为硅片上的集合制作品种参数图;所述品种参数图至少包括集合的长度和宽度,以及集合中每个超小尺寸芯片相对于该集合的相对坐标;第3步,连接探针台的测试仪调用集合的品种参数图,对硅片上的每个集合中的每个超小尺寸芯片进行测试,并生成每个集合的测试结果图;第4步,测试仪将硅片上的所有集合的测试结果图整合为一张,即生成整个硅片的测试结果图。 | ||
地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |