发明名称 离子轰击装置及利用该装置的基体材料表面的清洁方法
摘要 本发明的离子轰击装置,在真空腔的一个内侧面配置有用丝极构成的加热式的热电子释放电极,在真空腔的其它内侧面配置有接受来自热电子释放电极的热电子的阳极,在热电子释放电极和阳极之间配置有基体材料。进而具有:在热电子释放电极及阳极之间给予电位差,使其产生辉光放电的放电电源;加热热电子释放电极而使其释放热电子的加热电源;以及将对于真空腔而言负的脉冲状偏置电位给予基体材料的偏置电源。
申请公布号 CN103132013A 申请公布日期 2013.06.05
申请号 CN201210481360.9 申请日期 2012.11.23
申请人 株式会社神户制钢所 发明人 广田悟史;后藤直行;野村誉
分类号 C23C14/02(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I 主分类号 C23C14/02(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 何欣亭;李浩
主权项 一种离子轰击装置,通过对配置在真空腔内的基体材料的表面照射在所述真空腔内产生的气体离子而进行清洁,其中包括:加热式的热电子释放电极,配置在所述真空腔的一个内侧面,以丝极构成;阳极,配置在所述真空腔的其它内侧面,接受来自所述热电子释放电极的热电子;放电电源,在所述热电子释放电极与所述阳极之间给予电位差而产生辉光放电,所述放电电源和所述真空腔绝缘;加热电源,加热所述热电子释放电极而释放热电子;以及偏置电源,将对所述真空腔而言负的电位给予所述基体材料,所述偏置电源是脉冲电源,在这里,利用所述放电电源、所述加热电源及所述偏置电源能够使在所述基体材料的附近产生的气体离子照射所述基体材料的表面。
地址 日本兵库县神户市