互联线RC工艺角建模方法

摘要

本发明提出了一种生成精确的互连线电阻（R）电容（C）工艺角解析模型的方法。该方法改变传统互连线工艺角模型方法PRCA方法中设置的偏移量（skew）值，通过解析方程和统计模拟生成新的skew表达式，建立与实际结果相近的更为精确的互连线工艺角模型。该方法将给定金属层的互连几何参数（W、T、H）设为独立的正太分布变量，并采用统一的偏移量（skew值）作为全局参数。通过利用一阶Taylor展开获得互连线电学参数R、C的线性逼近方程，结合正太分布的数学特性，分别计算出电阻R、电容C以及两者的乘积RC在最差/最好工艺角下几何参数波动的全局skew值。再采用MonteCarlo方法对一组不同W的互连线电学参数进行仿真确定实际的R、C以及RC乘积的最差/最好工艺角。最后引用regression技术以MonteCarlo方法的模拟结果为基准对此前计算的skew值进行微调，则可获得精确的工艺角参数解析模型。与现有技术相比，本发明的有益效果是，生成了合理的工艺角模型，避免过于悲观的预测结果而浪费了设计空间。

主权项

1. 一种生成精确的互连线R、C工艺角解析模型的方法，其特征在于改变传统互连线工艺角模型方法PRCA方法中设置的偏移量（skew值），通过解析方程和统计模拟生成新的skew表达式，获得与实际结果相近的更为精确的互连线工艺角模型：步骤包括：（1）由半导体制造公司提供的工艺角文件（如ITF文件）确定互连线工艺参数G的统计信息, 即G的均值或是typical工艺角的值和标准差；（2）设置一全局的偏移量，令互连线工艺参数G满足；（3）确定互连线电学参数（电阻R、电容C、及RC乘积）关于互连线工艺参数G的解析表达式R=F(G), C=Y(G)，RC=X（G），并采用一阶Taylor展开式获得R、C和RC的线性逼近方程；例如（4）将R、C和RC关于其工艺参数展开后获得展开系数，即可通过如下的解析表达式计算偏移量（5）计算一组不同线宽W_i的值；（6）利用Monte Carlo模拟方法分别计算该组线宽W_i所对应的一组R_i、C_i和（RC）_i的统计信息（均值和标准差），确定实际的R_i、C_i和（RC）_i的最大与最小值，即+3，-3；（7）利用Monte Carlo方法计算出的实际的R_i、C_i和（RC）_i的最大与最小值采用数值计算反推出对应于实际的最大最小值时工艺参数的偏移量；（8）采用线性回归技术（linear regression）以步骤（7）的计算结果为基准，对步骤（4）和（5）计算的值进行微调，给出微调系数；（9）建立新的skew表达式，从而建立精确的互连线工艺角模型。