发明名称 |
用于执行PCVD 沉积工艺的设备和方法 |
摘要 |
本发明涉及一种用于执行PCVD沉积工艺的设备和方法,其中将一个或多个掺杂或未掺杂的玻璃层涂覆到玻璃基管的内部上,该设备包括:施加器,其具有内壁和外壁;以及微波引导件,用于向着施加器开口,该施加器绕柱轴延伸并且配置有与内壁相邻的通道,经由微波引导件所供给的微波可以经由该通道排出,基管可以沿该柱轴配置,而施加器由沿所述柱轴延伸的加热炉完全包围。 |
申请公布号 |
CN103130411A |
申请公布日期 |
2013.06.05 |
申请号 |
CN201210477438.X |
申请日期 |
2012.11.21 |
申请人 |
德拉克通信科技公司 |
发明人 |
I·米莉瑟维克;M·J·N·范·斯特劳伦;J·A·哈特苏克 |
分类号 |
C03B37/018(2006.01)I |
主分类号 |
C03B37/018(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇 |
主权项 |
一种用于执行PCVD沉积工艺的方法,所述方法包括以下步骤:i)提供玻璃基管;ii)向步骤i)的基管供给一种或多种玻璃形成气体;iii)通过微波辐射在步骤ii)的基管的至少一部分上诱导等离子体,以使一个或多个玻璃层沉积到所述基管的内表面上;其特征在于,在步骤iii)期间,根据所述等离子体沿着所述基管的长度的轴向位置来以一个或多个脉冲的形式向所述基管供给至少一种等离子体反应气体,以及其中,提供多个脉冲的等离子体反应气体,并且按照与步骤ii)的微波的波长的一半的一倍或奇数倍相等的以毫米为单位的特定纵向间隔沿着所述基管的长度供给所述多个脉冲的等离子体反应气体。 |
地址 |
荷兰阿姆斯特丹 |