LED芯片及其制备方法

摘要

本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，该芯片的边缘呈波纹状或者锯齿状。本发明提供的制备该芯片的方法包括以下步骤：在外延片上镀透明电极层，并进行MESA图形光刻；化学蚀刻；等离子体刻蚀；透明电极图形光刻；芯片电极图形光刻；以及金属蒸镀和剥离形成电极，其中，上述MESA图形光刻所用光刻版的边缘制作成波纹状或者锯齿状。根据本发明提供的LED芯片具有良好的光取出效率，克服了全反射对光取出效率的影响。

主权项

一种制备LED芯片的方法，所述LED芯片包括外延片、形成在所述外延片上的透明电极层和芯片电极，所述芯片的边缘呈波纹状或者锯齿状，所述制备LED芯片的方法包括以下步骤：生长外延片；通过光刻和化学蚀刻的方式形成MESA图形光刻板和切割道；通过ICP等离子刻蚀方式将图形转移到GaN上，并且此时形成台面，部分N区裸露；在透明电极层上进行光刻和化学蚀刻；通过光刻和蒸发的方法形成P型电极和N型电极；以及经过玻璃、合金、清洗工艺形成产品，其特征在于，所述MESA图形光刻所用光刻版的边缘制作成波纹状或者锯齿状。