| 发明名称 | 使用凸点下金属层用蚀刻组合物形成凸点结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了使用凸点下金属层用蚀刻组合物形成凸点结构的方法。在用于凸点下金属(UBM)层的蚀刻组合物和形成凸点结构的方法中，该蚀刻组合物包括：约40重量％～约90重量％的过氧化氢(H2O2)，约1重量％～约20重量％的包括氢氧化铵(NH4OH)或氢氧化四烷基铵的含水碱液，约0.01重量％～约10重量％的醇化合物，以及约2重量％～30重量％的乙二胺基螯合剂。该蚀刻组合物可有效蚀刻包括钛或钛钨的UBM层并可移除杂质。 | ||
| 申请公布号 | CN101440491B | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN200810181830.3 | 申请日期 | 2008.11.24 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 姜东旻;姜宝滥;金永南;林永* |
| 分类号 | C23F1/02(2006.01)I;C23F1/32(2006.01)I | 主分类号 | C23F1/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 用于凸点下金属层的蚀刻组合物，所述蚀刻组合物包括：40重量％～90重量％的过氧化氢；1重量％～20重量％的包括氢氧化铵或氢氧化四烷基铵的含水碱液；0.01重量％～10重量％的醇化合物；2重量％～30重量％的乙二胺基螯合剂；以及1ppm～1000ppm的非离子表面活性剂，且所述非离子表面活性剂包括聚氧化乙烯与聚氧化丙烯的共聚物，或者聚乙二醇与聚丙二醇的嵌段共聚物。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||