用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液的制备方法

摘要

本发明公开了一种用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液的制备方法。该抛光液选用纳米SiO2磨料，磨料的浓度为20～40wt％，粒径15～30nm，以利于材料的去除及表面平整化。抛光液的pH值10～12，既能满足有效去除，也能保证硅溶胶的稳定性。制备过程中采用负压搅拌制备法，避免了传统的复配、机械搅拌等制备方法带来的有机物、大颗粒、金属离子等的污染，可以达到超净的要求。

主权项

一种用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液的制备方法，其特征在于，按照以下步骤进行(重量％)：(1)将密闭反应器系统用去离子水负压涡流下清洗三遍；密闭反应器原材料选用无污染的聚丙烯、聚乙烯或聚甲基丙烯酸甲脂；(2)在负压涡流状态下逐渐加入胺碱调节pH值，加入胺碱的量为1‑5％，无机强碱试剂用18MΩ以上超纯水稀释后在负压涡流状态下逐渐吸入，加入无机强碱的量为0.1‑1％；pH值调节为9‑13；(3)在负压涡流状态下逐渐加入天津晶岭微电子材料有限公司销售的FA/O活性剂，加入FA/O活性剂的量为0.25‑2％；持续时间15分钟；(4)在负压涡流状态下逐渐加入天津晶岭微电子材料有限公司销售的FA/O螯合剂，加入FA/O螯合剂的量为0.25‑2％；(5)将浓度30～50wt％的纳米SiO2溶胶用负压吸入反应器内并呈涡流状态，所述溶胶是粒径15～100nm、分散度＜0.001、莫氏硬度7的SiO2溶胶；(6)负压涡流状态下充分搅拌，搅拌时间为5‑15分钟，均匀后进行灌装；上述胺碱、无机强碱、FA/O活性剂和FA/O螯合剂的重量百分比均以最后得到的抛光液为基准。