| 发明名称 | 硅衬底及其制造方法和外延结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了硅衬底及其制造方法和外延结构及其制造方法。通过形成裂纹减少部可以减少硅衬底中的裂纹的形成和传播。该硅衬底包括硅主体部和形成在硅主体部周围的硅边缘部。裂纹减少部形成在硅衬底的硅边缘部上，使得该裂纹减少部的晶面的方向是随机取向的。 | ||
| 申请公布号 | CN103137656A | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201210345304.2 | 申请日期 | 2012.09.17 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金峻渊;金在均;蔡秀熙;洪贤基 |
| 分类号 | H01L29/04(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 屈玉华 |
| 主权项 | 一种硅衬底，包括：硅主体部；硅边缘部，在所述硅主体部周围；以及裂纹减少部，在所述硅边缘部上，使得所述裂纹减少部的晶面的方向是随机的。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||