高介电层金属栅的制造方法

摘要

本发明提供了一种高介电层金属栅的制造方法，利用硅烷进行等离子体增强化学气相沉积形成种子层，在该种子层上利用臭氧和正硅酸乙酯进行选择化学气相沉积，以实现在种子层上选择性沉积第一牺牲层，并结合沉积的第二牺牲层，变相的增高了夹层绝缘层的高度，补偿了由于干法刻蚀和后续化学机械研磨中夹层绝缘层的损失，进而保障了最后生成的金属栅极的高度。

主权项

一种高介电层金属栅的制造方法，包括：在衬底上形成包括高介电层、伪多晶硅和侧壁氧化层的栅极结构；在衬底上利用硅烷进行等离子体增强化学气相沉积形成夹层绝缘层，并进行化学机械研磨以露出伪多晶硅；以所述夹层绝缘层为种子层利用臭氧和正硅酸乙酯进行选择化学气相沉积形成第一牺牲层；在所述第一牺牲层上沉积形成第二牺牲层，所述第二牺牲层厚度与所述侧壁氧化层厚度相同；进行干法刻蚀刻蚀所述第二牺牲层，以露出所述第一牺牲层和伪多晶硅；利用干法刻蚀去除伪多晶硅；沉积金属功函数层和金属栅极；再次进行化学机械研磨以露出所述第一牺牲层。