| 发明名称 | 一种TN型阵列基板及其制作方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种TN型阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，解决了现有技术中制作阵列基板曝光次数多、生产周期长、成本高的问题。一种TN型阵列基板的制作方法，包括：在基板上形成第一金属层、栅绝缘层、有源层、第二金属层以及透明导电层的步骤，其中，所述第一金属层包括栅极，所述第二金属层包括数据线，所述透明导电层包括：像素电极；其中，形成所述第二金属层和所述透明导电层具体包括：在基板上依次形成透明导电薄膜和金属薄膜；利用一次构图工艺，形成TFT沟道区、透明导电层和第二金属层。本发明适用于显示装置的制造领域。 | ||
| 申请公布号 | CN103137558A | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201310047920.4 | 申请日期 | 2013.02.06 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 | 发明人 | 吴松;包杰琼 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种TN型阵列基板的制作方法，包括：在基板上形成第一金属层、栅绝缘层、有源层、第二金属层以及透明导电层的步骤，其中，所述第一金属层包括栅极，所述第二金属层包括数据线，所述透明导电层包括：像素电极；其特征在于，形成所述第二金属层和所述透明导电层具体包括：在基板上依次形成透明导电薄膜和金属薄膜；利用一次构图工艺，形成TFT沟道区、透明导电层和第二金属层。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||