发明名称 模块化离子注入机控制系统
摘要 本发明公开了一种模块化离子注入机控制系统,包括电源系统,反应腔室、预抽腔室、主控制器、第一真空控制器、送片控制器、压力控制器、第二真空控制器及气体控制器;所述主控制器与所述第一真空控制器、送片控制器、压力控制器、第二真空控制器及气体控制器之间进行串行通信。本发明提供的一种离子注入机控制系统,围绕串行通信网络搭建,主控制器将直接与各分立控制器进行串口通信,大幅度降低了成本,减少了线路连接。
申请公布号 CN103137412A 申请公布日期 2013.06.05
申请号 CN201110391302.2 申请日期 2011.11.30
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 王蒙;李勇滔;赵章琰;李超波;夏洋
分类号 H01J37/317(2006.01)I 主分类号 H01J37/317(2006.01)I
代理机构 北京市德权律师事务所 11302 代理人 刘丽君
主权项 一种模块化离子注入机控制系统,包括电源系统,反应腔室、预抽腔室、其特征在于,还包括:主控制器、第一真空控制器、送片控制器、压力控制器、第二真空控制器及气体控制器;所述主控制器与所述第一真空控制器、送片控制器、压力控制器、第二真空控制器及气体控制器之间进行串行通信;所述第一真空控制器在所述主控器的控制下,控制分别设在所述反应腔室、预抽腔室的机械泵,使所述反应腔室、预抽腔室达到真空;所述送片控制器在所述主控器的控制下,控制一真空机械手将硅片穿过所述预抽腔室送达所述反应腔室,并放置在所述反应腔室内设置的一下电极,并控制所述下电极的位置;所述压力控制器在所述主控器的控制下,通过PID时间‑压力控制算法,控制所述预抽腔室机械泵的转速,控制所述反应腔室的调压阀;所述第二真空控制器在所述主控器的控制下,通过PID算法对所述反应腔室的调压阀的开口大小进行PID控制;所述气体控制器在所述主控器的控制下,通过反应腔室压力控制算法控制气体对硅片进行吹扫。
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号