| 发明名称 | 绝缘栅双极型晶体管器件结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管器件结构，包括；N型耐压体区，位于该N型耐压体区上端的P体区，形成于所述P体区两侧的沟道区，位于该沟道区上端和P体区上端的N+发射区，在该N+发射区和沟道区侧端形成的沟槽，位于该沟槽和N+发射区上端的隔离介质层；位于所述隔离介质层上端，由所述P体区引出的发射极；其中，在所述N型耐压体区的下端依次形成有超级结结构区、N型区、P+集电区和集电极。本发明还公开了一种绝缘栅双极型晶体管器件结构的制作方法。本发明能够有效减少器件关断损耗。 | ||
| 申请公布号 | CN103137679A | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201110374462.6 | 申请日期 | 2011.11.21 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 张帅;刘坤 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 戴广志 |
| 主权项 | 一种绝缘栅双极型晶体管器件结构，包括；N型耐压体区，位于该N型耐压体区上端的P体区，形成于所述P体区两侧的沟道区，位于该沟道区上端和P体区上端的N+发射区，在该N+发射区和沟道区侧端形成的沟槽，位于该沟槽和N+发射区上端的隔离介质层；位于所述隔离介质层上端，由所述P体区引出的发射极；其特征在于，还包括：在所述N型耐压体区的下端依次形成有超级结结构区、N型区、P+集电区和集电极。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||