用于处理基材的高疏水表面的方法

摘要

本发明涉及为对基材提供高疏水性而将基材表面改性成高疏水性的方法。更具体地说，本方法利用了在基材改性期间具有低表面能、但链长不同的两种不同的有机硅烷分子的自发相分离。分别由相分离的长、短低表面能有机硅烷分子形成域结构和基质结构，由两者的高度差导致的表面粗糙度能够摹拟荷叶效应的超疏水性。所述方法以此方式能够对基材赋予高疏水性。为此目的，将基材表面处理成高疏水性的方法的特征在于，使用具有CF3基团作为官能团的有机硅烷以及碳链长度比前述有机硅烷更短且具有CH3基团作为官能团的有机硅烷，通过化学气相沉积来形成混合自组装单层(SAM)，由此获得高疏水性的表面。

主权项

一种将基材表面处理成高疏水性的方法，其特征在于，使用具有CF3基团作为官能团的有机硅烷以及碳链长度比前述有机硅烷更短且具有CH3基团作为官能团的有机硅烷，通过化学气相沉积来形成混合自组装单层(SAM)，由此获得高疏水表面，所述具有CF3基团作为官能团的有机硅烷的化学式为F3C(CF2)a(CH2)bSiX3，其中a为5～20，b为2～5，且X为可水解的氯、甲氧基或乙氧基；并且所述具有CH3基团作为官能团的有机硅烷的化学式为H3C(CH2)cSiX3，其中c为7～23，且X为可水解的氯、甲氧基或乙氧基，所述具有CF3基团作为官能团的有机硅烷的碳链与所述具有CH3基团作为官能团的有机硅烷的碳链中的碳数目之差至少为2，从而使由所述混合自组装单层中的各有机硅烷构成的相的高度差导致基材表面上的高疏水性，且由所述有机硅烷产生的表面粗糙度的RMS(均方根)值为0.5nm～1nm。