| 发明名称 | 等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 一种等离子体处理装置，包括处理腔，所述处理腔包括顶壁、与所述顶壁相对的底壁以及形成于所述顶壁与底壁之间的侧壁，所述处理腔的腔壁上设置有进气装置，所述侧壁上形成有排气口，所述处理腔内包括一工艺区域，所述工艺区域和所述排气口之间设置有排气装置，所述排气装置至少包括第一排气装置和第二排气装置；所述第一排气装置用于将等离子体限制在所述工艺区域；所述第二排气装置用于改变工艺区域的气体分布。本发明等离子体处理装置可以提高气体分布的均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN103132054A | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201110392727.5 | 申请日期 | 2011.11.30 |
| 申请人 | 理想能源设备（上海）有限公司 | 发明人 | 黄允文;陈金元;刘传生;杨飞云 |
| 分类号 | C23C16/505(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/505(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种等离子体处理装置，包括处理腔，所述处理腔包括顶壁、与所述顶壁相对的底壁以及形成于所述顶壁与底壁之间的侧壁，所述处理腔的腔壁上设置有进气装置，所述侧壁上形成有排气口，所述处理腔内包括一工艺区域，所述工艺区域和所述排气口之间设置有排气装置，其特征在于，所述排气装置至少包括第一排气装置和第二排气装置；所述第一排气装置用于将等离子体限制在所述工艺区域；所述第二排气装置用于改变工艺区域的气体分布。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江居里路1号 | ||