具有改进的栅极平坦性的FinFET

摘要

本发明的各种实施例总体上涉及具有改进的栅极平坦性的FinFET，具体而言，公开了一种具有改进的栅极平坦性的FinFET和制作方法。栅极在去除任何非所需鳍之前设置于鳍图案上。光刻技术或者蚀刻技术或者二者的组合可以用来去除非所需鳍。可以合并剩余鳍中的所有鳍或者一些鳍。

主权项

一种制作FinFET的方法，包括：形成鳍图案，其中每个鳍包括设置于其上的鳍硬掩模层；在所述鳍图案之上沉积栅极层；在所述栅极层之上沉积栅极硬掩模层；去除所述栅极硬掩模层和所述栅极层的部分，由此暴露所述鳍图案；在来自所述鳍图案的鳍的第一子集之上沉积抗蚀层；使用蚀刻从所述鳍图案去除所述鳍的第二子集；并且合并所述鳍的第一子集的至少一些鳍。