发明名称 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法
摘要 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法属于半导体光电子器件领域。其结构一部分为微机电系统体结构薄膜(200),另一部分为半结构的垂直腔面发射激光器(400),通过粘合层(5)粘合在一起。微机电系统体结构薄膜从上到下包括有衬底(1)、腐蚀停层(2)、上分布反馈布拉格反射镜(100);半结构的垂直腔面发射激光器从上到下包括有注入电极(6)、绝缘层(7)、P型欧姆接触(8)、电流限制层(9)、有源区(10)、下分布反馈布拉格反射镜(300)、n型砷化镓衬底(13)、衬底电极(14);两部分通过粘合层粘合在一起形成中空结构空气隙(15)。本发明实现了双片集成可调谐垂直腔面发射激光器,达到激射波长的动态、可调的目的。
申请公布号 CN102570301B 申请公布日期 2013.06.05
申请号 CN201010616548.0 申请日期 2010.12.30
申请人 北京工业大学 发明人 关宝璐;任秀娟;郭霞;李硕;史国柱;李川川;郝聪霞;郭帅;周弘毅;苏治平;陈树华
分类号 H01S5/183(2006.01)I;H01S5/187(2006.01)I 主分类号 H01S5/183(2006.01)I
代理机构 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人 刘萍
主权项 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构,其特征在于,由两部分组成:一部分为微机电系统体结构薄膜(200),另一部分为半结构的垂直腔面发射激光器(400);这两部分通过粘合层(5)粘合在一起,所述粘合层(5)为表面旋图粘合层;微机电系统体结构薄膜从上到下包括有衬底(1)、腐蚀停层(2)、上分布反馈布拉格反射镜(100);半结构的垂直腔面发射激光器从上到下包括有注入电极(6)、绝缘层(7)、P型欧姆接触(8)、氧化限制层(9)、有源区(10)、下分布反馈布拉格反射镜(300)、n型砷化镓衬底(13)、衬底电极(14);微机电系统体结构薄膜(200)与半结构的垂直腔面发射激光器(400)四周通过粘合层(5)绝缘性材料集成在一起,形成中空结构,这一中空结构即作为空气隙(15)。
地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号
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